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Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
* Notes :
1. V GS = 0 V
2. I D = 250 μ A
0.5
* Notes :
1. V GS = 10 V
2. I D = 34.5 A
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
10
T J , Junction Temperature [ ° C]
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
3
10 μ s
T J , Junction Temperature [ ° C]
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
80
70
10
2
1ms
100 μ s
60
10
10
10
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
1
0
-1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
10ms
100ms
DC
* Notes :
o
o
3. Single Pulse
50
40
30
20
10
10
10
10
-2
10
0
1
2
0
25
50
75
100
125
150
T C , Case Temperature [ C]
V DS , Drain-SourceVoltage[V]
o
10
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
0
10
-1
D=0.5
0.2
P DM
0.1
0.05
* Notes :
t 1
t 2
10
1. Z θ JC (t) = 0.26 C/W Max.
-2
0.02
0.01
single pulse
0
2. Duty Factor, D=t 1 /t 2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
10
10
10
10
10
10
10
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
t 1 , Square Wave Pulse Duration [sec]
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDA69N25 Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
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